NE97833分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE97833 |
| 参数属性 | NE97833 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23 |
| 功能描述 | PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
43.78 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Renesas Electronics America |
| 企业简称 |
NEC【瑞萨】 |
| 中文名称 | 日本瑞萨电子株式会社官网 |
| 原厂标识 | NEC |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 17:48:00 |
| 人工找货 | NE97833价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE97833规格书详情
DESCRIPTION
The NE97833 PNP silicon transistor is designed for ultrahigh speed current mode switching applications and microwave amplifiers up to 3.5 GHz. The NE97833 offers excellent performance and reliability at low cost.
FEATURES
• HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 5.5 GHz TYP
• HIGH SPEED SWITCHING CHARACTERISTICS
• NPN COMPLIMENT AVAILABLE: NE02133
• HIGH INSERTION POWER GAIN: |S21E|2 = 10 dB at 1 GHz
产品属性
- 产品编号：
NE97833-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 晶体管类型：
PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
5.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
2dB @ 1GHz
- 增益：
10dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 15mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
CEL |
25+ |
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
SOT-23 |
57000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT23 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
CEL |
24+ |
原厂原装 |
4000 |
原装正品 |
询价 | ||
NDK |
DIP-5 |
35560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
S/PHI |
6000 |
面议 |
19 |
CDIP |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-23 |
26690 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
原厂正品 |
23+ |
SOT23 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |
