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NE850R599_NEC/瑞萨_射频GaAs晶体管 0.5W C-Band MESFET大联智电子
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号：
NE850R599
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 0.5W C-Band MESFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
供应商
- 企业：
深圳市大联智电子有限公司
- 商铺：
- 联系人：
苏珊
- 手机：
13410802297
- 询价：
- 电话：
0755-83382789
- 传真：
0755-83382789
- 地址：
深圳市福田区华强北街道华航社区华强北路1019华强广场A座11D
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