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NE8500295-6中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

NE8500295-6

功能描述

2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

文件大小

48.93 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

NEC

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-10-31 18:20:00

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NE8500295-6规格书详情

DESCRIPTION

The NE8500295 power GaAs FET covers 3.5 to 8.5 GHz frequency range with three different Class A, 2.0 W partially matched devices. Each packaged device has an input lumped element matching network.

NE8500200 is the six-cells recessed gate chip used in ‘95’ package.

The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS. (Plated Heat Sink)

NEC’s strigent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

FEATURES

• Class A operation

• High power output

• High reliability

产品属性

  • 型号:

    NE8500295-6

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
20+
SOT423
49000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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RENESAS/瑞萨
24+
NA/
15200
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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ZXV
20+
SOT-523
90000
原装现货支持BOM配单服务
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CEL
24+
原厂原封
4000
原装正品
询价
NEC
22+
SOT343
3000
原装正品,支持实单
询价
RENESAS
2016+
SOT423
15200
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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