NE696M01中文资料NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR数据手册CEL规格书

厂商型号 |
NE696M01 |
参数属性 | NE696M01 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT363 |
功能描述 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
封装外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
制造商 | CEL California Eastern Labs |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 22:50:00 |
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NE696M01规格书详情
简介
NE696M01属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的NE696M01晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号:
NE696M01-T1
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
6V
- 频率 - 跃迁:
14GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.6dB @ 2GHz
- 功率 - 最大值:
150mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 10mA,3V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
30mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:
SOT-363
- 描述:
RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT363
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
NA |
12000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
NEC |
NA |
10 |
询价 | ||||
NEC |
23+ |
SOT-363 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
NEC(VA) |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 | ||
NE71108D |
160 |
160 |
询价 | ||||
NEC |
20+ |
SOT363 |
49000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
NEC |
新 |
414 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
NEC |
17+ |
SOT-363 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT-363 |
7500 |
询价 | |||
NEC |
24+ |
SOT-363 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 |