首页>NE68539>规格书详情

NE68539数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

PDF无图
厂商型号

NE68539

参数属性

NE68539 封装/外壳为TO-253-4,TO-253AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN SUPER MINIMOLD
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143

封装外壳

TO-253-4,TO-253AA

制造商

CEL California Eastern Labs

原厂标识
数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-6 13:56:00

人工找货

NE68539价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

NE68539规格书详情

简介

NE68539属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的NE68539晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NE68539-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    6V

  • 频率 - 跃迁:

    12GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    11dB

  • 功率 - 最大值:

    180mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 10mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-143

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
NA/
9250
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
NEC
24+
SOT-143
60000
询价
RENESAS
23+
SOT-143
63000
原装正品现货
询价
CEL
23+
原厂原包
19960
只做进口原装 终端工厂免费送样
询价
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-143
26580
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
NEC
20+
SOT423
49000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
NEC
23+
SOT-143
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
NEC
22+
SOT423
25000
只有原装原装,支持BOM配单
询价
NEC
22+
SOT343
3000
原装正品,支持实单
询价
NEC
21+
SOT-143
10000
原装现货假一罚十
询价