NE68539中文资料NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN SUPER MINIMOLD数据手册CEL规格书
| 厂商型号 |
NE68539 |
| 参数属性 | NE68539 封装/外壳为TO-253-4，TO-253AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143 |
| 功能描述 | NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN SUPER MINIMOLD |
| 封装外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 制造商 | CEL California Eastern Labs |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 20:00:00 |
| 人工找货 | NE68539价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE68539规格书详情
简介
NE68539属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的NE68539晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
NE68539-T1-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
6V
- 频率 - 跃迁：
12GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB @ 2GHz
- 增益：
11dB
- 功率 - 最大值：
180mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
75 @ 10mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-253-4，TO-253AA
- 供应商器件封装：
SOT-143
- 描述：
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
9250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ZXV |
20+ |
SOT-523 |
90000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-343 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT343 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
NEC |
20+ |
SOT423 |
49000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT-343 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
询价 | ||
California Eastern Labs |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-143 |
26580 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT-143 |
60000 |
询价 |
