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NE68130-T1

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION NECs NE681 series of NPN epitaxial silicon transistors are designed for low noise, high gain, low cost amplifier applications. Both the chip and micro-x versions are suitable for amplifier applications up to 4 GHz. The NE681 die is also available in six different low cost plastic surf

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NEC

瑞萨

NE68130-T1

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:663.14 Kbytes 页数:21 Pages

CEL

NE68130-T1

Package:SC-70,SOT-323;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT323

CEL

CEL

NE68130-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:663.14 Kbytes 页数:21 Pages

CEL

NE68130-T1-A

Package:SC-70,SOT-323;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT323

CEL

CEL

NE68130-T1-R34-A

Package:SC-70,SOT-323;包装:带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT323

CEL

CEL

产品属性

  • 产品编号:

    NE68130-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz

  • 增益:

    9dB ~ 13.5dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 7mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SOT-323

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT323

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CEL
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更多NE68130-T1供应商 更新时间2025-10-12 15:00:00