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NE68030

NONLINEAR MODEL

文件:30.1 Kbytes 页数:1 Pages

CEL

NE68030-T1

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION NECs NE680 series of NPN epitaxial silicon transistors is designed for low noise, high gain and low cost applications. Both the chip and micro-x versions are suitable for applications up to 6 GHz. The NE680 die is also available in six different low cost plastic surface mount package

文件:246.53 Kbytes 页数:19 Pages

NEC

瑞萨

NE68030-T1

Package:SC-70,SOT-323;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323

CEL

NE68030-T1-A

Package:SC-70,SOT-323;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323

CEL

NE68030-T1-R44-A

Package:SC-70,SOT-323;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323

CEL

详细参数

  • 型号:

    NE68030

  • 功能描述:

    TRANS NPN 2GHZ SOT-323

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT)

  • 系列:

    -

  • 产品变化通告:

    Product Discontinuation 17/Dec/2010

  • 标准包装:

    1

  • 晶体管类型:

    NPN 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    4.7V 频率 -

  • 转换:

    47GHz

  • 噪声系数(dB典型值@频率):

    0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz

  • 增益:

    9dB ~ 31dB 功率 -

  • 最大:

    160mW 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE):

    160 @ 25mA,3V 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    45mA

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商设备封装:

    4-TSFP

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 其它名称:

    BFP 740FESD E6327DKR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
22+
SOT323
3000
原装正品,支持实单
询价
NEC
24+
SOT-323
7500
询价
CEL
24+
原厂原封
4000
原装正品
询价
NEC(VA)
23+
原厂封装
13528
振宏微原装正品,假一罚百
询价
NEC
20+
SOT323
49000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
NEC
24+
SOT-323
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-323
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
NEC
21+
SOT323
10000
原装现货假一罚十
询价
NEC
23+
SOT-323
26520
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
California Eastern Labs
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
更多NE68030供应商 更新时间2025-12-13 16:42:00