NE6500496中文资料瑞萨数据手册PDF规格书
NE6500496规格书详情
4 W L, S-BAND POWER GaAs FET
N-CHANNEL GaAs MES FET
DESCRIPTION
The NE6500496 is power GaAs FET which provides high
gain, high efficiency and high output power in L, S band.
To reduce thermal resistance, the device has a PHS
(Plated Heat Sink) structure.
FEATURES
• Class A operation
• High output power: 36 dBm (typ)
• High gain: 11.5 dB (typ)
• High power added efficiency: 45 (typ)
• Hermetically sealed ceramic package
产品属性
- 型号：
NE6500496
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
3257 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 | ||
NEC |
2138+ |
8960 |
专营BGA,QFP原装现货,假一赔十 |
询价 | |||
NEC |
04+PB |
3M |
776 |
询价 | |||
NEC |
24+ |
265 |
现货供应 |
询价 | |||
NEC |
23+ |
26520 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
PHI |
23+ |
DIP |
12300 |
询价 | |||
PHI |
24+ |
QFP-100 |
3378 |
绝对原装公司现货供应!价格优势 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
DIP |
9980 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
询价 | ||
NEC |
新 |
7 |
全新原装 货期两周 |
询价 |
