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NE6500496中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

NE6500496

功能描述

GaAs MES FET

文件大小

196.42 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-11-11 23:00:00

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NE6500496规格书详情

4 W L, S-BAND POWER GaAs FET

N-CHANNEL GaAs MES FET

DESCRIPTION

The NE6500496 is power GaAs FET which provides high

gain, high efficiency and high output power in L, S band.

To reduce thermal resistance, the device has a PHS

(Plated Heat Sink) structure.

FEATURES

• Class A operation

• High output power: 36 dBm (typ)

• High gain: 11.5 dB (typ)

• High power added efficiency: 45 (typ)

• Hermetically sealed ceramic package

产品属性

  • 型号:

    NE6500496

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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