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NE5511279A数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

NE5511279A

参数属性

NE5511279A 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG

功能描述

7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET
FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG

封装外壳

4-SMD,扁平引线

制造商

CEL California Eastern Labs

数据手册

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更新时间

2025-8-8 15:01:00

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NE5511279A规格书详情

简介

NE5511279A属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的NE5511279A晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NE5511279A-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    900MHz

  • 增益:

    15dB

  • 额定电流(安培):

    3A

  • 功率 - 输出:

    40dBm

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    79A

  • 描述:

    FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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