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NE5511279A数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

厂商型号 |
NE5511279A |
参数属性 | NE5511279A 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG |
功能描述 | 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET |
封装外壳 | 4-SMD,扁平引线 |
制造商 | CEL California Eastern Labs |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 15:01:00 |
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NE5511279A规格书详情
简介
NE5511279A属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的NE5511279A晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号:
NE5511279A-T1-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
900MHz
- 增益:
15dB
- 额定电流(安培):
3A
- 功率 - 输出:
40dBm
- 封装/外壳:
4-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装:
79A
- 描述:
FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
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询价 | ||
CEL |
2022+ |
79A |
38550 |
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询价 | ||
PHI |
2447 |
SOP8 |
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PHI |
23+ |
SO-8 |
12300 |
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PHI |
00+ |
SMD8 |
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CEL |
22+ |
79A |
9000 |
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CEL |
24+ |
原厂原装 |
4000 |
原装正品 |
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PHI |
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