NE521DR2G集成电路(IC)的比较器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NE521DR2G |
参数属性 | NE521DR2G 封装/外壳为14-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的比较器;产品描述:IC COMPARATOR DUAL DIFF 14-SOIC |
功能描述 | High?뭆peed Dual?묭ifferential Comparator/Sense Amp |
封装外壳 | 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
文件大小 |
123.78 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-23 22:30:00 |
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NE521DR2G规格书详情
NE521DR2G属于集成电路(IC)的比较器。由安森美半导体公司制造生产的NE521DR2G比较器逻辑比较器系列产品用于根据以数字格式表示的信息比较结果来生成输出;身份型比较器指示两个输入是否相同,幅度型比较器还指示两个输入不相同时哪个较大。它们不同于比较两个模拟输入幅度的器件,后者称为线性比较器且单独分类。
产品属性
更多- 产品编号:
NE521DR2G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
集成电路(IC) > 比较器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 类型:
差分
- 输出类型:
TTL
- 电压 - 供电,单/双 (±):
±4.75V ~ 5.25V
- 电压 - 输入补偿(最大值):
7.5mV @ ±4.75V
- 电流 - 输入偏置(最大值):
20µA @ ±5.25V
- 电流 - 静态(最大值):
35mA
- 传播延迟(最大值):
12ns
- 工作温度:
0°C ~ 70°C
- 封装/外壳:
14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 安装类型:
表面贴装型
- 供应商器件封装:
14-SOIC
- 描述:
IC COMPARATOR DUAL DIFF 14-SOIC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
SOP |
80000 |
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询价 | ||
ON |
23+ |
SOP14 |
28610 |
询价 | |||
onsemi |
25+ |
原厂封装 |
10000 |
询价 | |||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
64687 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
SOIC-14 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
17+ |
SOP |
5 |
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ON |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
ONSEMI/安森美 |
15+ |
SOP |
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