NE52118-T1中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

厂商型号	NE52118-T1
功能描述	L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT
文件大小	63.89 Kbytes
页面数量	12 页
生产厂商	Renesas Electronics America
企业简称	NEC【瑞萨】
中文名称	日本瑞萨电子株式会社官网
原厂标识
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更新时间	2025-7-24 10:44:00
人工找货	NE52118-T1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

FEATURES

• HIGH POWER GAIN: GA = 15 dB TYP at f = 2 GHZ, VCE = 2 V, IC = 3 mA, ZS = ZL = 50 Ω

• LOW NOISE: NF = 1.0 dB TYP at f = 2 GHZ, VCE = 2 V, IC = 3 mA, ZS = ZL = 50 Ω

• OIP3 = 15 dBm TYP at f = 2 GHZ, VCE = 2 V, IC = 3 mA, ZS = ZL = 50 Ω

• 4 PIN SUPER MINI MOLD PACKAGE

• GROUNDED EMITTER TRANSISTOR

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