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NE552R479A	文件：291.9 Kbytes Page：11 Pages	SILICON POWER MOS FET 3.0VOPERATIONSILICONRFPOWERLDMOSFET FOR2.45GHz0.4WTRANSMISSIONAMPLIFIERS	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NE552R679A	文件：290.69 Kbytes Page：11 Pages	SILICON POWER MOS FET 3.0VOPERATIONSILICONRFPOWERLDMOSFET FOR460MHz0.6WTRANSMISSIONAMPLIFIERS DESCRIPTION TheNE552R679AisanN-channelsiliconpowerlaterallydiffusedMOSFETspeciallydesignedasthe transmissionpoweramplifierfor3.0VFRS(FamilyRadioService).Diesaremanufacturedusingou	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE552R679A-T1	文件：290.69 Kbytes Page：11 Pages	Marking：AU；Package：79A；SILICON POWER MOS FET 3.0VOPERATIONSILICONRFPOWERLDMOSFET FOR460MHz0.6WTRANSMISSIONAMPLIFIERS DESCRIPTION TheNE552R679AisanN-channelsiliconpowerlaterallydiffusedMOSFETspeciallydesignedasthe transmissionpoweramplifierfor3.0VFRS(FamilyRadioService).Diesaremanufacturedusingou	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE552R679A-T1A	文件：290.69 Kbytes Page：11 Pages	Marking：AU；Package：79A；SILICON POWER MOS FET 3.0VOPERATIONSILICONRFPOWERLDMOSFET FOR460MHz0.6WTRANSMISSIONAMPLIFIERS DESCRIPTION TheNE552R679AisanN-channelsiliconpowerlaterallydiffusedMOSFETspeciallydesignedasthe transmissionpoweramplifierfor3.0VFRS(FamilyRadioService).Diesaremanufacturedusingou	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE5532	文件：125.94 Kbytes Page：12 Pages	Internally-compensated dual low noise operational amplifier DESCRIPTION The5532isadualhigh-performancelownoiseoperationalamplifier.Comparedtomostofthestandardoperationalamplifiers,suchasthe1458,itshowsbetternoiseperformance,improvedoutputdrivecapabilityandconsiderablyhighersmall-signalandpowerbandwidths. Thismake	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NE5532	文件：79.61 Kbytes Page：6 Pages	Dual Operational Amplifier Description TheNE5532isainternallycompensatedduallownoiseOP-AMP.ThehighsmallsignalandpowerbandwidthprovidessuperiorperformanceinhighqualityAMP,allcontrolcircuits,andtelephoneapplications. Features •InternalFrequencyCompensation •SlewRate:8V/μs •InputNoise	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NE5532A	文件：125.94 Kbytes Page：12 Pages	Internally-compensated dual low noise operational amplifier DESCRIPTION The5532isadualhigh-performancelownoiseoperationalamplifier.Comparedtomostofthestandardoperationalamplifiers,suchasthe1458,itshowsbetternoiseperformance,improvedoutputdrivecapabilityandconsiderablyhighersmall-signalandpowerbandwidths. Thismake	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NE5532AD8	文件：125.94 Kbytes Page：12 Pages	Internally-compensated dual low noise operational amplifier DESCRIPTION The5532isadualhigh-performancelownoiseoperationalamplifier.Comparedtomostofthestandardoperationalamplifiers,suchasthe1458,itshowsbetternoiseperformance,improvedoutputdrivecapabilityandconsiderablyhighersmall-signalandpowerbandwidths. Thismake	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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产品属性

产品编号：
NE5
制造商：
Essentra Components
类别：
电缆，电线 - 管理 > 电缆支撑与紧固件
系列：
Richco
包装：
散装
类型：
线夹，P 型
开口尺寸：
0.313"（7.95mm）
安装类型：
紧固件
材料：
铝
颜色：
黑色，银色
宽度：
0.375"（9.53mm）
面板孔尺寸：
0.204"（5.18mm）
材料厚度：
0.031"（0.80mm）
特性：
保护涂层
描述：
CBL CLAMP P-TYPE FASTENER

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