| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
NE3514S02-T1C-A
- 产品分类：
IC芯片
- 生产厂商：
- 库存数量：
89630
- 产品封装：
SMT86
- 生产批号：
23+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-7-24 8:11:00
NE3514S02-T1C-A_RENESAS/瑞萨_射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET晨豪科技
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号：
NE3514S02-T1C-A
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
供应商
相近型号
- NE3515S02-A
- NE3514302
- NE3515S02T1CA
- NE3515S02-T1C-A
- NE3513M04-T2B-AIC
- NE3515S02T1DA
- NE3513M04-T2B-A
- NE3515S02-T1D-A
- NE3513M04T2BA
- NE3516S02
- NE3513M04-T2-A
- NE3516S02A
- NE3513M04T2A
- NE3516S02-A
- NE3513M04-A
- NE3516S02T1CA
- NE3513M04A
- NE3516S02-T1C-A
- NE3517S03
- NE3517S03-A
- NE3517S03-T1C
- NE3517S03T1CA
- NE3512S02-T1D-A/JT
- NE3517S03-T1C-A
- NE3512S02-T1D-A
- NE3517S03-T1D-A
- NE3512S02-T1D
- NE3520
- NE3512S02-T1C-A
- NE3520S03
- NE3512S02T1CA
- NE3520S03A
- NE3512S02-T1C
- NE3520S03-A
- NE3512S02-T1B
- NE3520S03T1CA
- NE3512S02-A
- NE3520S03-T1C-A
- NE3512S02A
- NE3521M04A
- NE3512S02
- NE3521M04-A
- NE3511S02-T1D-A
- NE3521M04T2A
- NE3511S02-T1D
- NE3521M04-T2-A
- NE3511S02-T1C-A
- NE353N
- NE3511S02T1CA
- NE3560M06-T2
