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NE3513M04-T2B-A

N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain

CEL

California Eastern Labs

NE3513M04-T2B-A

Package:4-SMD,扁平引线;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

CEL

California Eastern Labs

NE3513M04-T2

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

CEL

California Eastern Labs

NE3513M04-T2

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE3513M04-T2

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE3513M04-T2-A

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

CEL

California Eastern Labs

NE3513M04-T2B

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE3513M04-T2B

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE3513M04-T2B

N-ChannelGaAsHJ-FET,XtoKuBandLowNoiseandHigh-Gain

CEL

California Eastern Labs

产品属性

  • 产品编号:

    NE3513M04-T2B-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    N 沟道 GaAs HJ-FET

  • 频率:

    12GHz

  • 增益:

    13dB

  • 额定电流(安培):

    60mA

  • 噪声系数:

    0.65dB

  • 功率 - 输出:

    125mW

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    4 个超微型模具

  • 描述:

    FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS
23+
SOT343
580000
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RENESAS
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PIN4
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RENESAS/瑞萨
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原厂原装
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RENESAS/瑞萨
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SOT343
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原装现货假一罚十
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RENESAS/瑞萨
23+
SOT-343
98500
原装正品,支持实单
询价
更多NE3513M04-T2B-A供应商 更新时间2025-5-22 17:03:00