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NE3512S02-T1D-A_RENESAS/瑞萨_射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET诺美思科技
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号：
NE3512S02-T1D-A
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
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