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NE334S01_NEC/瑞萨_射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET力通伟业
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号:
NE334S01
- 功能描述:
射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET
- RoHS:
否
- 制造商:
TriQuint Semiconductor
- 技术类型:
pHEMT
- 频率:
500 MHz to 3 GHz
- 增益:
10 dB
- 噪声系数:
正向跨导
- gFS(最大值/最小值):
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压:
- 8 V
- 漏极连续电流:
3 A
- 最大工作温度:
+ 150 C
- 功率耗散:
10 W
供应商
- 企业:
深圳市力通伟业半导体有限公司
- 商铺:
- 联系人:
陈先生◆专业经营内存◆闪存◆高通★XILINX★ALTREA系列
- 手机:
135-9027-9456(陈先生)
- 询价:
- 电话:
0755-88859789(原厂授权经销商)/0755-82572336(陈先生)
- 传真:
0755-83001768
- 地址:
深圳市福田区中航路鼎诚国际1619
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