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NE32500N中文资料CEL数据手册PDF规格书

NE32500N
厂商型号

NE32500N

功能描述

C TO KA BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ FET CHIP

文件大小

87.48 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 California Eastern Labs
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Labs官网

原厂标识
CEL
数据手册

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更新时间

2025-8-3 9:48:00

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NE32500N规格书详情

DESCRIPTION

NECs NE32500 is a Hetero-Junction FET chip that uses the junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create very high mobility electrons. Its excellent low noise figure and high associated gain make it suitable for commercial systems and industrial applications.

NECs stringent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

FEATURES

• SUPER LOW NOISE FIGURE: 0.45 dB TYP at 12 GHz

• HIGH ASSOCIATED GAIN: 12.5 dB TYP at 12 GHz

• GATE LENGTH: LG = 0.20 µm

• GATE WIDTH: WG = 200 µm

产品属性

  • 型号:

    NE32500N

  • 制造商:

    CEL

  • 制造商全称:

    CEL

  • 功能描述:

    C TO KA BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ FET CHIP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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