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- 厂家型号：
NE25118-T1
- 产品分类：
芯片
- 生产厂商：
- 库存数量：
5000
- 产品封装：
SOT-343
- 生产批号：
2025+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-11-17 15:08:00
首页>NE25118-T1>芯片详情
NE25118-T1_RENESAS/瑞萨_射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET坤融电子2部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号：
NE25118-T1
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
供应商
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