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SI9936BDY	文件：110.98 Kbytes Page：6 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI9936DY	文件：240.97 Kbytes Page：3 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SI9936DY	文件：260.66 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description DualN-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching ■TrenchMOS™technology. Applications ■DCtoDCconvertors ■DCmotorcontrol ■Lithium-ionbatteryapplications ■N	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
STV9936	文件：444.96 Kbytes Page：24 Pages	12nsTRIPLE-CHANNELHIGHVOLTAGEVIDEOAMPLIFIER DESCRIPTION TheSTV9553isatriple-channelvideoamplifier designedina120V-highvoltagetechnologyand abletodriveinDC-couplingmodethe3cathodes ofaCRTmonitor. TheSTV9553supportsPICTUREBOOST applicationswherevideoamplitudeupto50Vor aboveisrequired,ensuringamaxi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STV9936P	文件：444.96 Kbytes Page：24 Pages	12nsTRIPLE-CHANNELHIGHVOLTAGEVIDEOAMPLIFIER DESCRIPTION TheSTV9553isatriple-channelvideoamplifier designedina120V-highvoltagetechnologyand abletodriveinDC-couplingmodethe3cathodes ofaCRTmonitor. TheSTV9553supportsPICTUREBOOST applicationswherevideoamplitudeupto50Vor aboveisrequired,ensuringamaxi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STV9936P	文件：1.00477 Mbytes Page：48 Pages	120-MHzOn-ScreenDisplayforMonitorswith4TrueIndependentWindowDisplays	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STV9936S	文件：1.00477 Mbytes Page：48 Pages	120-MHzOn-ScreenDisplayforMonitorswith4TrueIndependentWindowDisplays	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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TM9936	文件：185.4 Kbytes Page：13 Pages	Three-phaseelectron-electrIccircuit	TITANShenzhen Titan Micro Electronics Co., Ltd. 天微电子深圳市天微电子有限公司	TITAN
VBZA9936	文件：629.57 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
NDS9936
功能描述：
MOSFET Dl N-Ch Enhancement
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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