选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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FAIRCHILD原封装 |
6000 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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FAIRCHILD面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳市安罗世纪电子有限公司6年
留言
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FAIRCHILDSMD |
6000 |
2023+ |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
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NDS0610_Q图片
NDS0610-Q中文资料Alldatasheet PDF
更多NDS0610_Q功能描述:MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube