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NDPL070N10B	文件：295.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDPL070N10B	文件：394.93 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDPL070N10BG	文件：394.93 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS070N10MCL	文件：263.05 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel100V,65m,13A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS070N10MCL−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS070N10MCLTAG	文件：263.05 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel100V,65m,13A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS070N10MCL−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFWS070N10MCLTAG	文件：263.05 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel100V,65m,13A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS070N10MCL−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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深圳市鹏顺微电子科技有限公司	NDPL070N10BG	ON Semiconductor	2022+	原厂原包装	6800	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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深圳市亚泰盈科电子有限公司	NDPL070N10BG	onsemi	2025+	TO-220	55740		询价
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更多NDPL070N10B供应商更新时间2025-7-25 22:13:00

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