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NDD60N360U1	文件：298.68 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.36Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：298.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDD60N360U1	文件：140.55 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：140.55 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD60N360U1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET 600V 11A 360 mOhm Single N-Channel DPAK Power MOSFET 600V 11A 360 mOhm Single N-Channel DPAK • 100% Avalanche Tested\n• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD60N360U1-1	文件：317.08 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.36Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：317.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDD60N360U1-1G	文件：151.79 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：151.79 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD60N360U1-1G	文件：140.55 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：140.55 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD60N360U1-35G	文件：140.55 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：140.55 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD60N360U1T4G	文件：140.55 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：140.55 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD60N360U1-1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD60N360U1-35G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 600V 114A IPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NDD60N360U1
制造商：
ON Semiconductor
功能描述：
NFET DPAK 600V 114A 360MO - Tape and Reel
功能描述：
MOSFET NFET DPAK 600V 114A 360MO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	NDD60N360U1	ON/安森美	2022+	TO-252	7500	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	NDD60N360U1	ON/安森美	20+	TO-252	7500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
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更多NDD60N360U1供应商更新时间2026-1-27 14:02:00

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