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NDD04N60Z-1G数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NDD04N60Z-1G

功能描述

N-Channel Power MOSFET 1.8 \u0002, 600 Volts

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 13:55:00

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技术参数

  • 型号:

    NDD04N60Z-1G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET IPAK 600V 4A 1.8R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
2025+
TO251
32000
原装正品现货供应商原厂渠道物美价优
询价
ON/安森美
24+
TO-251
60000
全新原装现货
询价
ON
24+
DPAK3(SINGLEGAUGE
8866
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ON(安森美)
2021/2022+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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ON/
24+
TO-251
5000
全新原装正品,现货销售
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ON(安森美)
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标准封装
8000
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ON/安森美
24+
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2022+
TO-251
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
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21+
TO-251
12588
原装正品,自己库存 假一罚十
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24+
TO-251
6000
全新原装正品现货 假一赔佰
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