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NDD03N80Z数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NDD03N80Z

功能描述

功率 MOSFET 800V 2.9A 4.5 Ω 单 N 沟道 DPAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 14:25:00

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NDD03N80Z规格书详情

描述 Description

功率 MOSFET 800V 2.9A 4.5 Ω 单 N 沟道 DPAK

特性 Features

• 100% Avalanche Tested
• This Device is PbFree, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant
• ESD diode-protected gate
• 100% Rg Tested

应用 Application

LED Lighting

技术参数

  • 型号:

    NDD03N80Z

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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