NDD03N80Z中文资料功率 MOSFET 800V 2.9A 4.5 Ω 单 N 沟道 DPAK数据手册ONSEMI规格书
NDD03N80Z规格书详情
描述 Description
功率 MOSFET 800V 2.9A 4.5 Ω 单 N 沟道 DPAK
特性 Features
• 100% Avalanche Tested
• This Device is PbFree, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant
• ESD diode-protected gate
• 100% Rg Tested
应用 Application
LED Lighting
技术参数
- 型号：
NDD03N80Z
- 功能描述：
MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
32210 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ON |
12+ |
TO-251 |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
PTIF |
P |
9999999999 |
4 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||
ON |
20+ |
SOT252 |
19570 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
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询价 | ||
ON |
23+ |
TO-251 |
50 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
25600 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |
