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PCR606J	文件：1.03565 Mbytes Page：5 Pages	SensitiveGateSiliconControlledRectifiers Features ◆RepetitivePeakOff-StateVoltage:600V ◆R.M.SOn-StateCurrent(IT(RMS)=0.6A) ◆LowOn-StateVoltage(1.2V(Typ.)@ITM) GeneralDescription SensitivetriggeringSCRissuitablefortheapplicationwhere gatecurrentlimitedsuchassmallmotorcontrol,gatedriver forlar	KCD Kcd Korea Semiconductor	KCD
PD606BA	文件：287.06 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
PD606BA	文件：797.89 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PE606BA	文件：241.27 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
PE606BA	文件：852.29 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PE606DT	文件：1.15178 Mbytes Page：11 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PG606R	文件：52.31 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONFASTSWITCHINGRECTIFIER(VOLTAGE-50to800VoltsCURRENT-6.0Amperes) VOLTAGE-50to800VoltsCURRENT-6.0Amperes FEATURES ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound ●GlasspassivatedjunctioninP600package ●6ampereoperationatTA=60¢Jwithnothermalrunaway ●Exce	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PG606R	文件：39.66 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONFASTSWITCHINGRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PG606R	文件：67.22 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONFASTSWITCHINGRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PG606R	文件：132.67 Kbytes Page：2 Pages	6.0AGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC

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更多NDB606B供应商更新时间2025-6-6 16:23:00

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