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PD606BA	文件：287.06 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：287.06 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
PD606BA	文件：797.89 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：797.89 Kbytes 页数：8 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PD606BA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	NIKO-SEM 尼克森	NIKO-SEM
PE606BA	文件：241.27 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：241.27 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
PE606BA	文件：852.29 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：852.29 Kbytes 页数：8 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PG606R	文件：52.31 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIER(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 6.0 Amperes) VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 6.0 Amperes FEATURES ● Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O Utilizing Flame Retardant Epoxy Molding Compound ● Glass passivated junction in P600 package ● 6 ampere operation at TA=60 ¢J with no thermal runaway ● Exce 文件：52.31 Kbytes 页数：2 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

更多PD606BA供应商更新时间2026-10-25 11:00:00