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NJU6060	文件：70.01 Kbytes Page：12 Pages	FullColorLEDControllerDriverwithPWMControl	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJU6060V	文件：70.01 Kbytes Page：12 Pages	FullColorLEDControllerDriverwithPWMControl	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NTE6060	文件：18.68 Kbytes Page：2 Pages	IndustrialSiliconRectifier,70A Description: TheNTE6048thruNTE6073powerrectifiersarestudmountedDO5packages.Becausethesiliconjunctioniscarefullyfittedwithinaglass–to–metalhermeticallysealedcase,reliableoperationisassured,evenwithextremehumidityandunderothersevereenvironmentalconditions.Th	NTE NTE Electronics	NTE
OM6060SB	文件：29.43 Kbytes Page：2 Pages	POWERMOSFETSINAHERMETICISOLATEDPOWERBLOCKPACKAGE HighCurrent,HighVoltage100VThru1000V,UpTo190AmpN-Channel,Size7MOSFETs DESCRIPTION ThisseriesofhermeticallypackagedproductsfeaturethelatestadvancedMOSFET technologycombinedwithapackagedesignedspecificallyforhighefficiency,highcurrent applications.Th	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
PFR6060PT	文件：661.67 Kbytes Page：6 Pages	60A60VMOSSchottkyRectifier	PFC PFC Device Inc.	PFC
PFR6060PT-L	文件：661.67 Kbytes Page：6 Pages	60A60VMOSSchottkyRectifier	PFC PFC Device Inc.	PFC
PTC6060	文件：344.75 Kbytes Page：3 Pages	NPNDarlingtonTransistors NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3)	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
QCC6060E	文件：188.26 Kbytes Page：1 Pages	CoaxialCirculators Features: Broadband HighPower LowInsertionLoss Applications: Wireless Radar LaboratoryTest	QUALWAVEQualwave Inc. All rights reserved. 扩维微波成都扩维微波技术有限公司	QUALWAVE
QCI6060E	文件：231.73 Kbytes Page：2 Pages	CoaxialIsolators Features: HighPower HighIsolation LowInsertionLoss LowVSWR Applications: Wireless Radar *LaboratoryTest	QUALWAVEQualwave Inc. All rights reserved. 扩维微波成都扩维微波技术有限公司	QUALWAVE
QDC6060H	文件：164.58 Kbytes Page：2 Pages	Drop-InCirculators Features: HighPower HighIsolation LowInsertionLoss LowVSWR Applications: Wireless Radar *LaboratoryTest	QUALWAVEQualwave Inc. All rights reserved. 扩维微波成都扩维微波技术有限公司	QUALWAVE

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详细参数

型号：
NDB6060L
功能描述：
MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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