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PMEG6030EP	文件：268.23 Kbytes Page：13 Pages	3AlowVFMEGASchottkybarrierrectifier	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PMEG6030EVP	文件：260.209 Kbytes Page：13 Pages	60V,3ASchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤3A •Reversevoltage:VR≤6	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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R6030ENX	文件：2.41181 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V30APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6030ENX	文件：296.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6030ENZ	文件：945.85 Kbytes Page：13 Pages	Nch600V30APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
NDB6030L
功能描述：
MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NDB6030L	onsemi(安森美)	24+	TO-263AB	7793	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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