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NDP6030PL	文件：56.6 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NI6030E	文件：257.26 Kbytes Page：11 Pages	Full-FeaturedESeriesMultifunctionDAQ12or16-Bit,upto1.25MS/s,upto64AnalogInputs	NI National Instruments Inc.	NI
NIPCI-6030E	文件：257.26 Kbytes Page：11 Pages	Full-FeaturedESeriesMultifunctionDAQ12or16-Bit,upto1.25MS/s,upto64AnalogInputs	NI National Instruments Inc.	NI
NIPXI-6030E	文件：257.26 Kbytes Page：11 Pages	Full-FeaturedESeriesMultifunctionDAQ12or16-Bit,upto1.25MS/s,upto64AnalogInputs	NI National Instruments Inc.	NI
PBFR6030JP	文件：1.00359 Mbytes Page：2 Pages	VoltageRange16to28VCurrent60Ampere	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
PE6030	文件：232.6 Kbytes Page：2 Pages	ShortingDustCapforBNCFemale	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PL6030JP	文件：645.39 Kbytes Page：2 Pages	PolyimidePassivatedAutoRectifier	YENYOYenyo Technology Co., Ltd. 元耀科技元耀科技股份有限公司	YENYO
PMEG6030ELP	文件：259.05 Kbytes Page：14 Pages	60V,3AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG6030ELP-Q	文件：259.76 Kbytes Page：13 Pages	60V,3AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •ExtremelylowleakagecurrentIR=340nA •Averageforwardcur	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG6030EP	文件：268.23 Kbytes Page：13 Pages	3AlowVFMEGASchottkybarrierrectifier	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
NDB6030L
功能描述：
MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NDB6030L	onsemi(安森美)	24+	TO-263AB	7793	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	NDB6030L	ON/安森美	24+	TO-263	505348	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
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更多NDB6030L供应商更新时间2025-5-30 10:22:00

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