欢迎来到114ic电子网!登录免费注册 加为收藏
  • 序号
  • 型号
  • 产品购买
  • 资料下载
  • IC PDF Datasheet
  • 功能描述
  • 生产厂商&上传企业
  • LOGO
  • 2
  • NCV8402ADDR2G

  • 文件:95Kbytes

    Page:11Pages

  • Dual Self-Protected Low-Side Driver

  • ONSEMION Semiconductor

    安森美安森美半导体公司

  • ONSEMI
  • NCV8402ADDR2G供应商
  • 型号
  • 品牌
  • 批号
  • 封装
  • 库存
  • 备注
  • 操作
更多供应商 更新时间:2022-4-18 18:05:10

NCV8402ADDR2G技术资料

NCV8402ADDR2G功能描述:MOSFET 42V 2.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NCV8402ADDR2G资料

NCV8402ADDR2G库存