NCV51511PDR2G 集成电路（IC）栅极驱动器 ONSEMI/安森美半导体

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厂家型号：
NCV51511PDR2G
产品分类：
芯片
生产厂商：
ON(安森美)
库存数量：
4526
产品封装：
VFQFN-24
生产批号：
2511
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-8-2 17:32:00

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原厂料号：NCV51511PDR2G品牌：ON(安森美)

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NCV51511PDR2G是集成电路（IC） > 栅极驱动器。制造商ON(安森美)/onsemi生产封装VFQFN-24/8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘的NCV51511PDR2G栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。

芯片型号：
NCV51511PDR2G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
15 页
文件大小：
224.05 kb
资料说明：
High-Frequency, High Side and Low Side Gate Driver

产品属性

类型
描述
产品编号：
NCV51511PDR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
系列：
Automotive, AEC-Q100
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
高压侧或低压侧
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
8V ~ 16V
逻辑电压 - VIL，VIH：
2V，1.8V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
3A，6A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
6ns，4ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOIC-EP
描述：
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

供应商

企业：
深圳市盈慧通电子有限公司
商铺：
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NCV51511PDR2G 集成电路（IC）栅极驱动器 ONSEMI/安森美半导体

NCV51511PDR2G

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