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NCV5106ADR2G	文件：110.84 Kbytes Page：17 Pages	High Voltage, High and Low Side Driver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCV5106ADR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCP5106ADR2G	文件：119.57 Kbytes Page：18 Pages	HighVoltage,HighandLowSideDriver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCP5106ADR2G	文件：160.69 Kbytes Page：18 Pages	HighVoltage,HighandLowSideDriver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NCV5106ADR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
250mA，500mA
输入类型：
反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：
85ns，35ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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