NCV5106ADR2G_集成电路(IC) 栅极驱动器-安森美半导体

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原厂料号:NCV5106ADR2G品牌:onsemi

资料说明:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

NCV5106ADR2G是集成电路(IC) > 栅极驱动器。制造商ONSEMI/安森美半导体生产封装8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)的NCV5106ADR2G栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

  • 芯片型号:

    NCV5106ADR2G

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    ONSEMI【安森美半导体】详情

  • 厂商全称:

    ON Semiconductor

  • 资料说明:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    NCV5106ADR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.3V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    250mA,500mA

  • 输入类型:

    反相,非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    85ns,35ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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