NCV33152DR2G 集成电路（IC）栅极驱动器 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
NCV33152DR2G
产品分类：
芯片
生产厂商：
ON(安森美)
库存数量：
8332
产品封装：
SOIC-8
生产批号：
24+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-7-31 14:03:00

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详细信息
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原厂料号：NCV33152DR2G品牌：ON(安森美)

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NCV33152DR2G是集成电路（IC） > 栅极驱动器。制造商ON(安森美)/onsemi生产封装SOIC-8/8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）的NCV33152DR2G栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。

芯片型号：
NCV33152DR2G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
12 页
文件大小：
176.06 kb
资料说明：
High Speed Dual MOSFET Drivers

产品属性

类型
描述
产品编号：
NCV33152DR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
6.1V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.6V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.5A，1.5A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
36ns，32ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供应商

企业：
深圳市豪迈兴电子有限公司
商铺：
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NCV33152DR2G 集成电路（IC）栅极驱动器 ONSEMI/安森美半导体

NCV33152DR2G

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