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NCV33152DR2G	文件：228.83 Kbytes Page：12 Pages	High Speed Dual MOSFET Drivers TheMC34152/MC33152aredualnoninvertinghighspeeddriversspecificallydesignedforapplicationsthatrequirelowcurrentdigitalsignalstodrivelargecapacitiveloadswithhighslewrates.ThesedevicesfeaturelowinputcurrentmakingthemCMOS/LSTTLlogiccompatible,inputhysteresisforf	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NCV33152DR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MC33152DR2	文件：151.08 Kbytes Page：12 Pages	HIGHSPEEDDUALMOSFETDRIVERS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NCV33152DR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
6.1V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.6V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.5A，1.5A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
36ns，32ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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