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NCP81382MNTXG	文件：255.94 Kbytes Page：16 Pages	Integrated Driver and MOSFET 文件：255.94 Kbytes 页数：16 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP81382MNTXG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：36-TFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 36QFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
S81382AA	文件：851.78 Kbytes Page：5 Pages	S81 RTD Temperature Probes DESCRIPTION These probes may be supplied with either single or dual elements. The probe can be suplied with extension lead wire, process connection connectors. The lead wires can be PVC, silicone, PTFE or fiberglass insulation. 文件：851.78 Kbytes 页数：5 Pages	ASHCROFT 雅斯科	ASHCROFT
S81382AB	文件：851.78 Kbytes Page：5 Pages	S81 RTD Temperature Probes DESCRIPTION These probes may be supplied with either single or dual elements. The probe can be suplied with extension lead wire, process connection connectors. The lead wires can be PVC, silicone, PTFE or fiberglass insulation. 文件：851.78 Kbytes 页数：5 Pages	ASHCROFT 雅斯科	ASHCROFT
S81382AD	文件：851.78 Kbytes Page：5 Pages	S81 RTD Temperature Probes DESCRIPTION These probes may be supplied with either single or dual elements. The probe can be suplied with extension lead wire, process connection connectors. The lead wires can be PVC, silicone, PTFE or fiberglass insulation. 文件：851.78 Kbytes 页数：5 Pages	ASHCROFT 雅斯科	ASHCROFT

产品属性

产品编号：
NCP81382MNTXG
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
高压侧或低压侧
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
输入类型：
非反相
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
36-TFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
36-QFN（6x4）
描述：
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 36QFN

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