NCP5355数据手册集成电路（IC）的栅极驱动器规格书PDF
| 厂商型号 |
NCP5355 |
| 参数属性 | NCP5355 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| 功能描述 | 12 V，同步降压功率 MOSFET 驱动器 |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | NCP5355价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NCP5355规格书详情
描述 Description
NCP5355 是一款双 MOSFET 门极驱动器，经过优化，可驱动同步降压转换器的高压侧和低压侧电源 MOSFET。 NCP5355 是没有集成门极驱动器的多相控制器的一款绝佳伴随电路，此类驱动器有安森美半导体的 NCP5314 或 NCP5316。 此结构为电源设计人员提供了更大灵活性，能够将门极驱动器靠近 MOSFET 放置。
特性 Features
• 8.0-14V Gate Drive Capability
• 2.0A Peak Drive Current
• Rise and Fall Times <15ns Typical into 3300 pF
• Propagation Delay from Inputs to Outputs <30ns
• Adaptive Nonoverlap Time Optimized for Large Power MOSFETs
• Floating Top Driver Accommodates Applications Up to 26V
• Undervoltage Lockout to Prevent Switching when the Input Voltage is Low
• Thermal Shutdown Protection Against Overtemperature
• TG to DRN Pull-Down Resistor Prevents HV Supply-Induced Turn On of Top MOSFET
• BG to PGND Pull-Down Resistor Prevents Transient Turn On of Bottom MOSFET
• Internal Bootstrap Diode Reduces Parts Count and Total Solution Cost
• Pb-Free Package is Available
简介
NCP5355属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由制造生产的NCP5355栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 产品编号：
NCP5355DG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
卷带（TR）
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
同步
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
8V ~ 14V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
- 输入类型：
反相，非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
15ns，15ns
- 工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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