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NCP5304中文资料MOSFET / IGBT 驱动器,高压,高压和低压侧,双输入数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NCP5304

参数属性

NCP5304 封装/外壳为8-DIP(0.300",7.62mm);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

功能描述

MOSFET / IGBT 驱动器,高压,高压和低压侧,双输入
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

封装外壳

8-DIP(0.300",7.62mm)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 11:26:00

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NCP5304规格书详情

描述 Description

The NCP5304 is a High Voltage Power gate Driver providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs arranged in a half-bridge configuration.It uses the bootstrap technique to insure a proper drive of the High-side power switch. The driver works with 2 independent inputs with cross conduction protection.

特性 Features

• High Voltage Range: Up to 600V
• dV/dt Immunity ±50 V/ns
• Gate Drive Supply Range from 10 V to 20 V
• High and Low Drive Outputs
• Output Source / Sink Current Capability 250 mA / 500 mA
• 3.3 V and 5 V Input Logic Compatible
• Up to Vcc Swing on Input Pins
• Matched Propagation Delays Between Both Channels
• Outputs in Phase with the Inputs
• Cross Conduction Protection with 100ns Internal Fixed Dead Time
• Under Vcc LockOut (UVLO) for Both Channels
• Pin to Pin Compatible with Industry Standards

应用 Application

• Half Bridge Power Converters
• Full Bridge Converters

简介

NCP5304属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的NCP5304栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NCP5304

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Power Switch

    :MOSFET/IGBT

  • Number of Outputs

    :2

  • Topology

    :Half-Bridge

  • Isolation Type

    :Junction Isolation

  • Vin Max (V)

    :600

  • VCC Max (V)

    :23

  • Drive Source/Sink Typ (mA)

    :250/500

  • Rise Time (ns)

    :85

  • Fall Time (ns)

    :35

  • tp Max (ns)

    :170

  • Package Type

    :SOIC-8

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