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NCP3418B中文资料Dual Bootstrapped 12 V MOSFET Driver数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NCP3418B

参数属性

NCP3418B 封装/外壳为10-VFDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

功能描述

Dual Bootstrapped 12 V MOSFET Driver
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

封装外壳

10-VFDFN 裸露焊盘

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 14:04:00

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NCP3418B规格书详情

描述 Description

The NCP3418B is a single phase MOSFET gate driver optimized to drive the gates of both high-side and low-side power MOSFETs in a synchronous buck converter.The high-side and low-side dirver is capable of driving a 3000pF load with a 25ns propagation delay and a 20ns transition time.

特性 Features

• Anti Cross-Conduction Protection Circuitry
• Floating Top Driver Accommodates Boost Voltages of up to 30V
• One Input Signal Controls Both the Upper and Lower Gate Outputs
• Output Disable Control Turns Off Both MOSFETs
• Complies with VRM10.x and VRM11.x Specifications
• Undervoltage Lockout
• Thermal Shutdown
• Thermally Enhanced Package Available
• These are Pb-free devices

应用 Application

• Motherboards

简介

NCP3418B属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的NCP3418B栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NCP3418BMNR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.6V ~ 13.2V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2V

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    16ns,11ns

  • 工作温度:

    0°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    10-VFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    10-DFN(3x3)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

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