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NCP3418中文资料Dual Bootstrapped 12 V MOSFET Driver数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NCP3418

参数属性

NCP3418 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

Dual Bootstrapped 12 V MOSFET Driver
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 14:03:00

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NCP3418规格书详情

描述 Description

The NCP3418 and NCP3418A are dual MOSFET gate drivers optimized to drive the gates of both high-side and low-side power MOSFETs in a synchronous buck converter. Each of the drivers is capable of driving a 3000 pF load with a 25 ns propagation delay and a 20 ns transition time. With a wide operating voltage range, high or low side MOSFET gate drive voltage can be optimized for the best efficiency. Internal, adaptive nonoverlap circuitry further reduces switching losses by preventing simultaneous conduction of both MOSFETs.

特性 Features

• Anti Cross-Conduction Protection Circuitry
• Floating Top Driver Accommodates Boost Voltages of up to 30V
• One Input Signal Controls Both the Upper and Lower Gate Outputs
• Output Disable Control Turns Off Both MOSFETs
• Complies with VRM 10.x Specifications
• Undervoltage Lockout
• Thermal Shutdown
• Thermally Enhanced Package Available
• Pb-Free Packages are Available

应用 Application

VR10.X CPU Controllers

简介

NCP3418属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的NCP3418栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NCP3418ADR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.6V ~ 13.2V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2V

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    18ns,10ns

  • 工作温度:

    0°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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