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NCE60P09K中文资料无锡新洁能股份数据手册PDF规格书

NCE60P09K
厂商型号

NCE60P09K

功能描述

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

NCE60P09K

封装外壳

TO-252

文件大小

659.59 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企业简称

NCEPOWER无锡新洁能股份

中文名称

无锡新洁能股份有限公司官网

原厂标识
NCEPOWER
数据手册

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更新时间

2025-8-5 16:30:00

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NCE60P09K规格书详情

描述 Description

The NCE60P09K uses advanced trench technology and design

to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is

well suited for use as a load switch or in PWM applications.

Application

● Load switch

● PWM application

General Features

● VDS =-60V,ID =-9A

RDS(ON) <173mΩ @ VGS=-10V ID=-7A

RDS(ON) <210mΩ @ VGS=-10V ID=-9A

RDS(ON) <220mΩ @ VGS=-4.5V ID=-4A

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Excellent package for good heat dissipation

● 175 °C operating temperature

● Pb-free lead plating

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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