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NCE60P05N中文资料无锡新洁能股份数据手册PDF规格书

NCE60P05N
厂商型号

NCE60P05N

功能描述

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

LNCE60P05N

封装外壳

SOT-23-6L

文件大小

416.25 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企业简称

NCEPOWER无锡新洁能股份

中文名称

无锡新洁能股份有限公司官网

原厂标识
NCEPOWER
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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NCE60P05N规格书详情

描述 Description

The NCE60P05N uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This

device is well suited for use as a load switch or in PWM

applications.

General Features

● VDS =-60V,ID =-5A

RDS(ON) <65mΩ @ VGS=-10V

RDS(ON) <85mΩ @ VGS=-4.5V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Excellent package for good heat dissipation

Application

● Load switch

● PWM application

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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