NCE5080K中文资料12-200V N-Channel Trench MOSFET数据手册NCEPower规格书
NCE5080K规格书详情
描述 Description
The NCE5080K uses advanced trench technology and design to provide excellent R DS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
特性 Features
• V DS =50V,I D =80A
R DS(ON) <7.5m? @ V GS =10V
R DS(ON) <9m? @ V GS =4.5V
• High density cell design for ultra low Rdson
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Good stability and uniformity with high E AS
• Excellent package for good heat dissipation
• Special process technology for high ESD capability
应用 Application
• Load switching
• Hard switched and high frequency circuits
• Uninterruptible power supply
技术参数
- 制造商编号
：NCE5080K
- 生产厂家
：NCEPower
- Product status
：Production
- Package
：TO-252
- Polarity
：P
- BVDSS(V)
：50
- ID(A)
：80
- VTH(V)
：1.3
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ)
：4.9
- RDS(ON)@10VMax(mΩ)
：6.4
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
：5.9
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
：9
- VGS(th)(V)
：±20
- CISS(pF)
：3600
- QG(nC)
：65
- PD(W)
：105
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NCE新洁能 |
22+ |
TO-252 |
95000 |
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询价 | ||
NCE |
24+ |
TO-252 |
9000 |
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询价 | ||
NCE/新洁能 |
2511 |
TO-252 |
360000 |
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NCE |
24+ |
TO-252 |
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NCE |
24+ |
TO-252 |
5000 |
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询价 | ||
NCE新洁能 |
22+ |
TO-252 |
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无锡新洁能 |
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TO-252-2 |
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NCE/新洁能 |
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TO-252 |
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询价 | ||
NCE/新洁能 |
25+ |
TO-252 |
60000 |
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询价 |
