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NCE30H11BG中文资料12-200V N-Channel Trench MOSFET数据手册NCEPower规格书

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厂商型号

NCE30H11BG

功能描述

12-200V N-Channel Trench MOSFET

制造商

NCEPower Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

中文名称

新洁能 无锡新洁能股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 15:04:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :NCE30H11BG

  • 生产厂家

    :NCEPower

  • Product status

    :Production

  • Package

    :DFN5*6

  • Polarity

    :P

  • BVDSS(V)

    :30

  • ID(A)

    :110

  • VTH(V)

    :1.6

  • RDS(ON)@10VTyp(mΩ)

    :2.3

  • RDS(ON)@10VMax(mΩ)

    :3

  • RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)

    :3.3

  • RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)

    :4.1

  • VGS(th)(V)

    :±20

  • CISS(pF)

    :3009

  • QG(nC)

    :66.3

  • PD(W)

    :68

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