NCE3090K中文资料12-200V N-Channel Trench MOSFET数据手册NCEPower规格书
NCE3090K规格书详情
描述 Description
The NCE3090K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
特性 Features
• VDS =30V,ID =90A
RDS(ON) =4.1mΩ (typical) @ VGS=10V
RDS(ON) =5.9mΩ (typical) @ VGS=4.5V
• High density cell design for ultra low Rdson
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Good stability and uniformity with high EAS
• Excellent package for good heat dissipation
• Special process technology for high ESD capability
应用 Application
• DC/DC converters
• Synchronous Rectifier
技术参数
- 制造商编号
：NCE3090K
- 生产厂家
：NCEPower
- Product status
：Production
- Package
：TO-252
- Polarity
：P
- BVDSS(V)
：30
- ID(A)
：90
- VTH(V)
：1.7
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ)
：4.1
- RDS(ON)@10VMax(mΩ)
：5.8
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
：5.9
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
：8
- VGS(th)(V)
：±20
- CISS(pF)
：3433
- QG(nC)
：60
- PD(W)
：105
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