NCE3035Q中文资料12-200V N-Channel Trench MOSFET数据手册NCEPower规格书
NCE3035Q规格书详情
描述 Description
The NCE3035Q uses advanced trench technology and design to provide excellent R DS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
特性 Features
• V DS =30V,I D =35AR DS(ON) < 7.0mΩ @ V GS =10VR DS(ON) < 11mΩ @ V GS =4.5V
• High density cell design for ultra low Rdson
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Good stability and uniformity with high E AS
• Excellent package for good heat dissipation
• Special process technology for high ESD capability
应用 Application
• Secondary side synchronous rectifier
• High side switch in POL DC/DC converte
技术参数
- 制造商编号
：NCE3035Q
- 生产厂家
：NCEPower
- Product status
：Production
- Package
：DFN3*3
- Polarity
：P
- BVDSS(V)
：30
- ID(A)
：35
- VTH(V)
：1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ)
：6.5
- RDS(ON)@10VMax(mΩ)
：7
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
：9
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
：12
- VGS(th)(V)
：±20
- CISS(pF)
：2330
- QG(nC)
：45
- PD(W)
：35
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NCE/新洁能 |
24+ |
NA/ |
2000 |
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NCE/新洁能 |
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NCE |
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DFN33-8L |
500000 |
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NCE |
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NCE |
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NCE/新洁能 |
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DFN3.3X3.3-8L |
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NCE/新洁能 |
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NCE/新洁能 |
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国产 |
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CJ/长电 |
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PDFN3*3 |
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询价 |
