NCE2010E中文资料Dual N and P-Channel MOSFET数据手册NCEPower规格书
NCE2010E规格书详情
描述 Description
The NCE2010E uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested.
技术参数
- 制造商编号
：NCE2010E
- 生产厂家
：NCEPower
- Product status
：Production
- Package
：TSSOP-8
- Polarity
：N+N
- BVDSS(V)
：20
- ID(A)
：7
- VTH(V)
：0.7
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
：13
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
：18
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
：17
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
：24
- VGS(th)(V)
：±10
- CISS(pF)
：1150
- QG(nC)
：15
- PD(W)
：1.5
- Specialfeature
：ESD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NCE/新洁能 |
24+ |
NA/ |
10 |
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NCE/新洁能 |
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TSSOP-8 |
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NCE/新洁能 |
24+ |
TSSOP-8 |
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询价 | ||
NCE |
24+ |
TSSOP-8 |
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NCE/新洁能 |
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TSSOP-8 |
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NCE/新洁能 |
24+ |
TSSOP-8 |
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NCE/新洁能 |
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TSSOP-8 |
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NCE新洁能 |
25+ |
TSSOP-8 |
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NCE新洁能 |
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TSSOP-8 |
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NCE/新洁能 |
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TSSOP-8 |
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