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NCE2010E数据手册NCEPower中文资料规格书

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厂商型号

NCE2010E

功能描述

Dual N and P-Channel MOSFET

制造商

NCEPower Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

中文名称

无锡新洁能股份 无锡新洁能股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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NCE2010E规格书详情

描述 Description


The NCE2010E uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested.

技术参数

  • 制造商编号

    :NCE2010E

  • 生产厂家

    :NCEPower

  • Product status

    :Production

  • Package

    :TSSOP-8

  • Polarity

    :N+N

  • BVDSS(V)

    :20

  • ID(A)

    :7

  • VTH(V)

    :0.7

  • RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)

    :13

  • RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)

    :18

  • RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)

    :17

  • RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)

    :24

  • VGS(th)(V)

    :±10

  • CISS(pF)

    :1150

  • QG(nC)

    :15

  • PD(W)

    :1.5

  • Specialfeature

    :ESD

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