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NCE01P30I数据手册NCEPower中文资料规格书

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厂商型号

NCE01P30I

功能描述

12-150V P-Channel Trench MOSFET

制造商

NCEPower Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

中文名称

无锡新洁能股份 无锡新洁能股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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NCE01P30I规格书详情

描述 Description


The NCE01P30I uses advanced trench technology and design to provide excellent R DS(ON)  with low gate charge. It can be
used in a wide variety of applications. It is ESD protested.

技术参数

  • 制造商编号

    :NCE01P30I

  • 生产厂家

    :NCEPower

  • Product status

    :Production

  • Package

    :TO-251

  • Polarity

    :P

  • BVDSS(V)

    :-100

  • ID(A)

    :-30

  • VTH(V)

    :-1.9

  • RDS(ON)@10VTyp(mΩ)

    :44

  • RDS(ON)@10VMax(mΩ)

    :58

  • RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)

    :48

  • RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)

    :65

  • VGS(th)(V)

    :±20

  • CISS(pF)

    :3810

  • QG(nC)

    :136

  • PD(W)

    :120

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