NCE01H10D中文资料12-200V N-Channel Trench MOSFET数据手册NCEPower规格书
NCE01H10D规格书详情
描述 Description
The NCE01H10D uses advanced trench technology and design to provide excellent R DS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
特性 Features
• V DS = 100V,I D =100A
R DS(ON) < 13m? @ V GS =10V (Typ:9.9m?)
• Special process technology for high ESD capability
• High density cell design for ultra low Rdson
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Good stability and uniformity with high E AS
• Excellent package for good heat dissipation
应用 Application
• Power switching application
• Hard switched and high frequency circuits
• Uninterruptible power supply
技术参数
- 制造商编号
：NCE01H10D
- 生产厂家
：NCEPower
- Product status
：Production
- Package
：TO-263
- Polarity
：P
- BVDSS(V)
：100
- ID(A)
：100
- VTH(V)
：3
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ)
：9.9
- RDS(ON)@10VMax(mΩ)
：13
- VGS(th)(V)
：±20
- CISS(pF)
：4800
- QG(nC)
：85
- PD(W)
：200
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NCE |
2024+ |
TO263 |
500000 |
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询价 | ||
NCE/新洁能 |
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TO263 |
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NCE/新洁能 |
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TO-263 |
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NCE无锡新洁能 |
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TO-263 |
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TO-263 |
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NCE新洁能 |
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TO-263 |
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23+ |
TO-263-2L |
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询价 | ||
无锡新洁能 |
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TO-263-2L |
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NCE |
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TO263 |
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询价 |
