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NCE0159数据手册NCEPower中文资料规格书

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厂商型号

NCE0159

功能描述

12-200V N-Channel Trench MOSFET

制造商

NCEPower Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

中文名称

无锡新洁能股份 无锡新洁能股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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NCE0159规格书详情

描述 Description


The NCE0159 uses advanced trench technology and design to provide excellent R DS(ON)  with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

特性 Features

• V DS = 100V,I D =59A
R DS(ON) < 15m? @ V GS =10V (Typ:11m?)
• Special process technology for high ESD capability
• High density cell design for ultra low Rdson
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Good stability and uniformity with high E AS
• Excellent package for good heat dissipation

应用 Application

• Power switching application
• Hard switched and high frequency circuits
• Uninterruptible power supply

技术参数

  • 制造商编号

    :NCE0159

  • 生产厂家

    :NCEPower

  • Product status

    :Production

  • Package

    :TO-220

  • Polarity

    :P

  • BVDSS(V)

    :100

  • ID(A)

    :59

  • VTH(V)

    :3

  • RDS(ON)@10VTyp(mΩ)

    :11

  • RDS(ON)@10VMax(mΩ)

    :15

  • VGS(th)(V)

    :±20

  • CISS(pF)

    :4900

  • QG(nC)

    :95

  • PD(W)

    :180

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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